Ossido di indio(III)
| Ossido di indio(III) | |
|---|---|
 | |
| Caratteristiche generali | |
| Formula bruta o molecolare | In2O3 |
| Massa molecolare (u) | 277,64 g/mol |
| Aspetto | solido verde-giallastro |
| Numero CAS | numero CAS non valido |
| Numero EINECS | 215-193-9 |
| PubChem | 150905 |
| SMILES | [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] |
| Proprietà chimico-fisiche | |
| Densità (g/cm3, in c.s.) | 7,179 g/cm³ |
| Indicazioni di sicurezza | |
L'ossido di indio(III) è un ossido anfotero dell'indio. È il componente principale dell'ITO, utilizzato nella produzione di pellicole conduttive trasparenti.
Struttura cristallina[modifica | modifica wikitesto]
È insolubile in acqua.[1] La forma cristallina ha due fasi: quella cubica a corpo centrato[2] e quella romboedrica (tipo corindone). Entrambe hanno una band gap di circa 3,6 eV.[3] La fase cubica è quella comune, mentre la romboedrica si produce con la crescita ad alte temperature e pressioni.[3][4]
Conduttività e magnetismo[modifica | modifica wikitesto]
Film sottili policristallini di ossido di indio dopato con zinco hanno conduttività elevata (~105 S/m) e sono superconduttori alla temperatura dell'elio liquido. La temperatura di transizione dipende dalla struttura e dal dopaggio ed è inferiore ai 3,3 K.[5]
Sintesi[modifica | modifica wikitesto]
Applicazioni[modifica | modifica wikitesto]
L'ossido di indio è utilizzato in batterie alcaline[1], film sottili in grado di riflettere l'infrarosso ma trasparenti alla luce e in rivestimenti speciali. In combinazione con il diossido di stagno forma l'ITO, utilizzato per rivestimenti trasparenti conduttivi (es.schermi piatti).
È un semiconduttore di tipo n, può quindi essere usato come elemento resistivo in circuiti integrati[1].
In istologia l'ossido di indio è presente in formulazioni per aumentare il contrasto dei campioni sottoposti a microscopia.
Note[modifica | modifica wikitesto]
- ^ a b c Indium Oxide (In2O3), su indium.com, Indium Corporation. URL consultato il 30 settembre 2013 (archiviato dall'url originale il 3 giugno 2012).
- ^ M.Marezio, Refinement of the crystal structure of In2O3 at two wavelengths, in Acta Crystallographica, vol. 20, n. 6, 1966, pp. 723–728, DOI:10.1107/S0365110X66001749, ISSN 0365110X.
- ^ a b The Minerals, Metals & Materials Society, TMS 2011 140th Annual Meeting and Exhibition, John Wiley & Sons, 2011, pp. 51-58, ISBN 978-1-118-06215-9.
- ^ The Minerals Metals & Materials Society (Tms) e The Minerals, Metals & Materials Society (TMS), TMS 2011 140th Annual Meeting and Exhibition, General Paper Selections, John Wiley and Sons, 6 aprile 2011, pp. 51–, ISBN 978-1-118-06215-9. URL consultato il 23 settembre 2011.
- ^ Kazumasa Makise, Nobuhito Kokubo, Satoshi Takada, Takashi Yamaguti, Syunsuke Ogura, Kazumasa Yamada, Bunjyu Shinozaki, Koki Yano, Kazuyoshi Inoue, Superconductivity in transparent zinc-doped In2O3films having low carrier density, in Science and Technology of Advanced Materials, vol. 9, n. 4, 2008, DOI:10.1088/1468-6996/9/4/044208.
Altri progetti[modifica | modifica wikitesto]
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