Surrounding Gate Transistor

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Abbozzo elettronica
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Surrounding Gate Transistor o in breve SGT è una nuova tecnologia per transistor 3D ideata dalla giapponese Unisantis Electronics e dall'Institute of Microelectronics di Singapore.

Il capo del progetto della durata di 24 mesi è Fujio Masuoka. Il transistor dovrebbe operare a frequenze tra i 20 e i 50 GHz, offrendo anche meno dispersione di calore grazie alla sua configurazione geometrica.

Voci correlate[modifica | modifica wikitesto]

Collegamenti esterni[modifica | modifica wikitesto]

  • Punto Informatico, su punto-informatico.it.
  • (EN) Unisantis, su unisantis-el.jp. URL consultato l'11 dicembre 2007 (archiviato dall'url originale il 16 dicembre 2007).
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